（报告出品方/作者：中信证券，付宸硕、黄亚元、陈卓）
T/R组件销量冠军，订单饱满成长加速
国内销量最大的军品T/R组件供应商，军民业务协同促发展
根据公司招股说明书，公司是目前国内军品领域销量最大的T/R组件供应商。国博电子是中电科55所旗下TR组件核心供应商。公司前身上海华信集成电路有限公司成立于年，年更名为南京国博电子有限公司，年公司先后完成增资、股权转让及股份制改制，年在上交所科创板上市。公司专注于有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，产品广泛应用于精确制导、雷达探测和移动通信基站等领域，产品销量在军品领域首屈一指。公司注重研发驱动及产品布局，过往累计获得相关领域内重要技术奖项共29项，建立了以化合物半导体为核心的技术体系；公司同时布局了T/R组件和射频模块业务与射频芯片业务，业务间相互协同，实现产品效益最大化。
实际控股人为中国电科，股权结构稳定集中。公司IPO完成后，中国电科通过旗下%控股的国基南方、中国电科五十五所和中电科投资合计持有国博电子55.45%股权，仍为公司实控人，其中五十五所为中国电科下属的大型电子器件研究所；国基南方是以五十五所为核心资源组建的企业集团。公司第三大单一股东系中电科国微，持有公司15.44%股权，中电科投资持有中电科国微的执行事务合伙人（中电科基金管理有限）40%的股权，中电科国微无实际控制人。公司当前唯一控股的子公司国微电子为国基南方于年以全部股权作价向公司增资，国微电子的员工持股平台南京芯锐、中电科投资则以货币向公司增资。
公司T/R组件产品主要应用于军用制导、雷达领域，模块及芯片产品主要应用于民用通信领域。公司根据不同型号的装备定制研发了数百款有源相控阵T/R组件，产品广泛应用于精确制导、雷达探测和卫星通信等军用雷达领域，下游客户主要为大军工集团下的科研院所和整机单位。公司同时专注开发大功率控制模块、大功率放大模块等高集成度的射频模块产品，并利用自身优势，进一步研发设计了与之相辅相成的射频放大类芯片和射频控制类芯片等射频芯片产品，产品均应用于民用4G、5G移动通信基站、移动智能终端等通信系统。
订单饱满收入业绩增速抬头，规模效应凸显盈利能力提升
弹载起量拉动21年收入业绩增速抬头，22年高增长态势有望保持。受益于下游需求旺盛，年至年公司营收由17.24亿元增长至25.09亿元，复合增速13.32%；归母净利润由2.52亿元增长至3.68亿元，年均复合增速13.45%，增速偏低主要原因系年公司T/R组件业务独立运行后开始缴纳增值税，造成公司T/R组件产品不含税单价下降。受益于年弹载起量和军品批产型号增加，公司营收及净利润增速于年显著回升。22Q1-Q3公司维持良好增长势头，实现营收26.61亿元，同比增长59.71%；实现净利润4.02亿元，同比增长37.63%。
T/R组件为公司主要收入来源，弹载产品占比大幅提升。年至年T/R组件和射频模块作为公司核心业务，始终是公司营收和毛利的第一大贡献来源。年T/R组件和射频模块业务贡献营收21.31亿元，占公司总营收的84.95%；贡献毛利7.10亿元，占公司总毛利的81.63%。受下游整机客户需求转变影响，弹载产品占T/R组件的收入占比由年的27.85%大幅增加至年的67.21%，业务占比大幅增加，成为新的业绩增长点。
行业高景气下公司积极备货备产，产能提升业绩有望加速增长。年9月公司与A01客户签订T/R组件业务合同，公司预计该订单金额约40.9亿，同期随着大订单落地公司获得9.04亿元预付款，合同负债同比增长.32%至5.84亿元，行业景气度高涨。年中美贸易摩擦开始后公司进行战略性备货，年存货大幅增长34.78%至11.29亿元，/21年随着生产持续推进，存货规模有所下滑，Q1或由于大订单落地，公司积极备货备产，存货再次增长至11.72亿元。公司固定资产及在建工程于年起有所增长，系公司为提升产能陆续增购相关生产设备，并积极建设“射频集成电路产业园项目”扩大生产线规模，新建产能落地后业绩有望加速增长。
公司经营性净现金流由负转正，客户信誉高回款或将持续向好。基于T/R业务并入国博电子未带应收账款等因素消除和当年9月收到客户大额预付款，年公司经营性净现金流由负转正，且剔除所收到的大额预付款金额后，仍有余额2.39亿元，表明公司现金流状况大幅改善。考虑到公司客户主要为具备优良商誉及履约能力的大军工集团下属科研院所及整机单位，回款风险较低，账款整体质量较佳，我们预计公司回款情况或将持续向好，未来现金流质量有望进一步提升。
军民业务盈利改善驱动毛利率创新高，产能释放规模效应凸显净利率仍有上升空间。年T/R组件业务因缴纳增值税致使销售价格下降和产品单位成本上升，公司整体毛利率有所下滑。年受益于下游客户对部分单价较高的T/R组件需求上升，军品业务毛利率有所回升；同时公司战略调整射频芯片业务的产品结构，该业务毛利率由年28.86%增长至年40.33%。军民业务双重因素驱动下，公司综合毛利率突破历史新高达34.68%。与可比公司相比，公司主营产品为高频电子系统，产品加工流程繁复，净利率略低于雷电微力和天箭科技；但公司近三年的净利率和ROE较可比公司表现平稳，净利率维持在13%至17%之间，ROE则稳定保持在13%至15%之间。未来随着公司产能释放，规模效应凸显，盈利能力有望进一步提升。
有源相控阵普及，导弹带动需求释放
有源相控阵精度高可靠性好，正逐步成为无线电设备主流体制
相控阵是由射频前端组成的阵列，通过波束赋形原理合成主波束。射频前端是用于发射、接收和处理无线电信号的装置。相控阵微系统是由成百上千个频率相同的射频前端单元组成的射频阵列，通过控制每一个射频单元发射信号的相位（移相）、形成一定的相位差，利用了波的干涉和波束赋形原理，将每个单元发射的全向波在相长干涉的方向上合成定向波束。虽然每个射频单元功率有限、发射强度较小，但通过大量单元发射波的叠加，就能合成强度大且窄的主波束，传播距离更远。
相对于机械扫描雷达，相控阵雷达指向快速且精准。由于主波束较集中、馈电损耗小，相控阵雷达发射效率高、探测距离远；旁瓣较小，精度高；且可以分配不同的模块发射多个独立波束，同时追踪多个目标；即使部分单元失效，仍不影响雷达系统正常运作，可靠性强。实验表明，有源相控阵雷达有10%的单元失效时，对系统性能无显著影响；30%的单元失效时，系统增益降低，但仍可维持基本工作。基于上述优势，相控阵雷达技术在近半个世纪以来得到很大发展，目前相控阵雷达正在大量取代机械扫描雷达。
有源相控阵各单元独立发射/接收电磁波，提高雷达在极端条件下的作业能力。相控阵技术根据射频前端结构可分为有源和无源。无源相控阵（PESA）是所有天线单元共用一个中央发射机/接收机，发射机产生的大功率信号，分配给每个天线单元，目标反射信号也是经各个天线单元送达接收机统一放大。有源相控阵（AESA）是相控阵技术的一种，“有源”指辐射的功率在雷达天线本身的辐射组件内产生，即相控阵天线孔径的每一单元皆由有源的发射/接收(T/R)组件构成，同时组件都能独立产生和接收电磁波。有源相控阵是提高雷达在恶劣电磁环境下对付快速、机动及隐身目标的一项关键技术。
有源相控阵优势明显，是新型雷达的主流发展方向。相比无源相控阵雷达，有源相控阵雷达在灵敏度、波束控制、多功能、体积等方面都显著占优，但无源相控阵雷达的技术难度和成本较低，因此在过去几十年里被作为一种过渡方案广泛应用。有源相控阵雷达是集现代相控阵理论、超大规模集成电路、高速计算机、先进固态器件及光电子技术为一体的高新技术产物，将脉冲多普勒、单脉冲、脉冲压缩及捷变频等多种雷达体制集于一体，凭借其显著的性能优势，成为新型雷达的主流发展方向，也是一个国家实力的体现。
年至年全球雷达市场空间高达亿美元，其中有源相控阵雷达市场占比约25.68%。根据ForecastInternational统计，全球有源相控阵雷达年至年的总销售额占雷达销售额的比例约为25.68%。根据铖昌科技招股说明书，相控阵雷达凭借其独特优势，将逐渐替代传统机械雷达，成为目前雷达技术的主流发展趋势；在国防信息化战略下，预计年我国相控阵雷达销售金额占雷达销售金额的比例将大幅提高。铖昌科技招股说明书转引产业信息网预测，年我国军用雷达市场规模达亿元，预计年市场规模可达亿元。随着相控阵雷达高速发展，TR芯片市场有望持续高景气。
T/R组件是相控阵雷达的工作核心，在系统中价值占比超50%。有源相控阵由发射和接收天线阵列组成，包括辐射单元、天线罩及附属结构、T/R模块及附属控制电路、射频波束合成器、直流供电系统、波束转换控制器。在典型的有源相控阵雷达中，每个天线单元后面都接有一个T/R(TransmitterandReceiver)组件。T/R组件的构成和功能也是随着有源相控阵雷达的需要而变化的。一般而言，T/R组件的电路部分都包括独立的发射通道、接收通道和供电、波束控制等部分。每个相控阵雷达包含成千上万个T/R组件，其成本占整个雷达系统50%以上。
T/R组件包括发射通道、接收通道和驱动控制三个部分，核心功能已采用芯片实现。T/R组件主要包含发射通道、接收通道和驱动控制三个部分，主要由功率放大器、低噪声放大器、限幅器、衰减器、移相器、滤波器、收发开关以及相应的电源电路和控制电路组成。随着固态有源集成电路的发展，T/R组件中的核心功能全部采用芯片实现。高性能、低成本、小型轻量化和高集成化的T/R组件是发展有源相控阵雷达的关键。
从功能角度，TR组件中的射频芯片可分为放大类芯片和控制类芯片。放大类芯片中，低噪声放大器一般用于实现接收通道的射频信号放大，处于接收链路的前端，低噪声放大器的性能对整个通信设备的信噪比等指标至关重要。功率放大器的作用是对发射通道的射频信号进行放大，是无线通信设备射频的核心组成部分，影响整个无线通信设备发射性能、系统功耗等重要指标。控制类芯片中，射频开关是指可对射频信号通路进行导通和截止的射频控制元件，用于信号切换到不同的信号通路中去。当开关开通时，要求对信号的损耗小；当开关关断时，要求信号不能泄露。数控衰减器主要用来控制微波信号幅度，实现对信号的定量衰减，通过数控衰减器调整射频链路的信号幅值，能够保证信号处在合适的电平上，从而防止发生过载、增益压缩和失真。
现代战争导弹应用增加，型号上量带动T/R组件市场扩容
导弹能够高效摧毁目标，是现代战争中的重要武器。导弹是一种携带战斗部，依靠自身动力装置推进，由制导系统导引控制飞行航迹，导向目标并摧毁目标的飞行器。导弹通常由战斗部、控制系统、发动机装置和弹体等组成。导弹摧毁目标的有效载荷是战斗部（或弹头），可为核装药、常规装药、化学战剂、生物战剂，或者使用电磁脉冲战斗部。其中，装普通装药的称常规导弹；装核装药的称核导弹。导弹武器突出的性能特点是射程远、精度高、威力大、突防能力强。
中美导弹数量差距大，实战化下中国或加速补库存。冷战结束以来，美军先后参与科索沃战争、阿富汗战争、伊拉克战争等，持续的战争带动了导弹等先进装备需求，美军导弹库存数量一直维持高位，根据TheInternationalInstituteforStrategicStudies在《TheMilitaryBalance》中的数据，美国拥有洲际弹道导弹枚，各类战术导弹数以万计；近几年美军仍在加大导弹领域的投入，年美军在战略导弹上的预算达40亿美元，在战术导弹上的预算更是高达亿美元。相比之下我国导弹库存较低，补库存需求大，预计在未来较长时间内我国的导弹数量将呈现加速增长的态势。
先进空空导弹需求旺盛，或成为列装重点。现代战争中，带有主动雷达指导的先进空空导弹，能够有效杀伤敌方空中力量，是空军争夺制空权的利器。AIM-是美军先进空空导弹的典型型号，该系列是应美国空军、美国海军、北大西洋公约组织和其他盟国的行动要求，研制的最先进的全天候、全环境中程空对空导弹系统。该系统是一种主动雷达制导拦截导弹，具有固有的电子保护能力，用于空中应用，以对抗大规模穿透飞机，是美军继AIM-7之后的第四代空空导弹。AIM-系列将通过全球定位系统辅助导航、改善网络兼容性和通过双向数据链路能力提高机组人员的生存能力来提高精度。随着中国周边地缘政治的复杂化，我们认为先进空空导弹需求旺盛，有望成为我国重点列装型号。
先进空空导弹需要持续迭代更新，订单具备较强持续性。由于地方战机更新换代，以及战场环境日趋复杂，先进空空导弹也需要持续迭代更新。美国AIM-导弹年研制，用于对付80年代已有及其未来可能出现的战斗机、战斗轰炸机及巡航导弹，年试射，年服役。现已研制出A、B、C、D等多种改进型号并装备多国空军。A型采用二级固体火箭发动机，制导方式为惯性制导+指令修正制导+主动雷达末制导，具有“射后不管”和多目标攻击能力；B型为A型的改进型，采用更先进的数据处理器；C型是专为美国第四代战斗机F-22改制的，前后翼展均为毫米，最大飞行速度5马赫，一架F-22一共可挂4枚A型导弹或6枚C型导弹。我们认为中国的先进空空导弹也将迭代更新，在较长的时间范围内该型导弹订单都有较好保障，或将驱动相关产业链持续健康发展。
有源相控阵灵敏度高，在导弹导引头中应用增加。相控阵主要用于导弹中的导引头，导引头是导弹中输出与目标相对运动信息的重要装备，按照探测系统的不同，导引头主要可分为光学制导和雷达制导两大类。雷达导引头的体制在不断迭代，有源相控阵雷达导引头凭借灵敏度较高、信号处理能力较强、可靠性较高等特点，未来将逐步替代无源相控阵雷达，成为先进导弹使用的主要体制。
导弹需求放量，T/R组件市场前景广阔。年10月《中共中央关于制定国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标的建议》指出加速武器装备升级换代和智能化武器装备发展，备战能力放量建设。随着十四五期间国防需求的日益增加，对海陆空军事装备的数量及武器数量的需求也在不断增加。其中，导弹依靠其信息化技术可以实现对目标的精确打击，已成为各种军事装备的核心配套武器。预计未来，我国将有更多的军事装备陆续交付、服役，依照满足各类装备对武器的需求，导弹需求量也将进一步增加。其中雷达导引头中相控阵雷达凭借高发射效率、高精度、，高命中率等特点获得广泛应用，基于有源相控阵雷达的每个辐射器后端均需配装一个TR组件，该种体制带来相控阵核心组件T/R组件数量级的大幅提升。
5G技术推动基站数量增加，模块及芯片行业潜力巨大
5G技术的大规模应用将带来通信基站数量的增加。基站分为宏基站和微基站，宏基站适用于室外环境，需要单独的机房和铁搭，体积较大；微基站信号发射覆盖范围较小，适合小范围精确覆盖，是宏基站信号的延伸。相较于4G，5G使用了更高的频率，而信号的频率越高，波长就越短，单个基站的覆盖半径也就越小，因此，5G的普及将会带来宏基站数量的提升。年7月5日，工信部联合9部委印发《5G应用“扬帆”行动计划（-年）》，明确提出到年5G个人用户普及率超过40%，用户数超过5.6亿。根据中国信通院预计，年我国将新建超60万个5G基站，5G基站总数将超过万个；年我国5G网络建设投资累计将达1.2万亿元，将带动产业链上下游及各行业应用投资超3.5万亿元。
通信技术持续迭代，基站射频器价值上升。在通信技术的发展中，射频器的价值随技术的进步不断提升。在2G网络基站中，射频器件价值占整个基站价值的比重约为4%，随着基站朝着小型化方向发展，3G和4G技术中射频器件价值比重逐步提升至6%~8%，部分基站这一比重可达9%~10%。5G时代射频器件的价值占比将会进一步提高，而化合物半导体凭借其优良的高频性能、高温性能，已成为当下基站射频器件的主流材料。
背靠院所优势明显，完善军民业务布局
T/R组件分内部配套和对外采购两种模式，外购市场三大龙头企业差异化竞争。在有源相控阵天线构成中，T/R组件价值占比相对较高，故有源相控阵行业竞争主要围绕T/R组件的研发销售展开。T/R组件市场主要为整机单位内部配套和对外采购两种模式。部分整机厂通过自建生产研发平台满足自身对有源相控阵T/R组件的需求，实现内部配套自给自足。部分整机厂聚焦整机主业，将T/R组件业务外包，对外采购专业化公司T/R组件产品。当前国内T/R组件市场主要包括国基北方/中电科十三所、雷电微力以及国博电子三大龙头企业。国基北方和国博电子均提供有源相控阵T/R组件产品，但国博电子产品定位高频高密度领域，国基北方产品定位低频通用，两者存在一定差异；雷电微力则主营有源相控阵微系统产品。
背靠体制内科研院所，管理、技术、原材料多重受益
第二大股东五十五所系军用微波毫米波芯片龙头。公司于年由中国电科五十五所间接出资设立，目前五十五所持有公司18.49%的股份，为公司第二大股东；第一大股东国基南方是以五十五所为核心资源组建，以固态器件、微系统、光电显示与探测器件为主业的企业集团。五十五所为公司实际控制人中国电科集团下属的大型电子器件研究所，主要从事固态器件与微系统、光电显示与探测器件的研发、生产和销售，形成从设计、工艺到封测，从材料、芯片到模块的完整技术体系和产品链，其产品主要应用于特种领域。在军用微波毫米波T/R组件芯片领域，五十五所为国内极少数可大批量提供军用微波毫米波芯片的企业，具备覆盖各频段、全体系、自主设计的芯片生产和研发体系。据天奥电子招股说明书披露，截至年6月30日，五十五所总资产和净资产分别约81亿/52亿元，年上半年净利润约2.07亿元。
公司现任高层均来自五十五所。截止年7月，公司现任高层管理人员共计8名，均曾任职于五十五所，为五十五所历任高层。公司总经理沈亚、副总经理周骏和孙春妹曾为五十五所微系统事业部（负责有源相控阵T/R组件业务）领导，其余多名高层曾任五十五所通信信息部、集成电路设计部等部门领导。其中，沈亚、杨磊等6位高层同时为公司核心技术人员。
受让五十五所多项发明专利，整合T/R组件技术链条完整。为实现五十五所相关射频资源整合，年公司通过收购国微电子股权并购五十五所微系统事业部有源相控阵T/R组件业务，五十五所将其T/R组件相关的专利和专有技术均变更划转至公司体内。部分专有技术仍处于申请专利过程中，随后将陆续办理变更手续。目前公司多项发明专利继受五十五所取得，保障有源相控阵T/R组件业务的衔接整合和正常运作，与公司原有射频芯片、模块业务协同发展，形成覆盖芯片、模块、组件的完整技术链条。
五十五所为公司芯片和晶圆重要供应商，保障主要原材料供应安全。公司产品生产依赖多种原材料，芯片和晶圆等主要原材料成本占比持续较高，且公司所采用的微波毫米波芯片均为定制化产品，属于海外限制出口领域，目前仅中国电科下属单位可大批量提供相关芯片及技术研发服务。根据公司招股说明书，年至年五十五所为公司芯片和晶圆的重要供应商，其微波毫米波芯片产品能够应用于公司有源相控阵T/R组件产品的配套生产，在产业链中与公司产品为上下游关系，采购比例持续较高，有助于保障原材料供应安全。
纵向完善产业链布局，横向拓展民品双轮驱动发展
重组合并T/R组件，产品覆盖上游芯片至下游模块、组件，产业链布局完善。射频芯片、射频模块和T/R组件三者相辅相成，相互协同。射频模块与T/R组件一方面需考虑射频芯片性能，一方面需依赖射频芯片以实现各类技术参数。射频芯片为射频模板与T/R组件的重要组成部分。公司于年重组整合五十五所微系统事业部，承接其有源相控阵T/R组件业务，目前公司技术体系以化合物半导体为核心，形成了以设计、封装测试为主，从芯片到模块、组件的产业链布局，产品包括上游射频芯片，以及下游射频模块和T/R组件等产品，三者相互协同。在射频领域，公司开发了射频放大类芯片、射频控制类型芯片；在高密度集成领域，公司研发了射频模块、T/R组件等产品。
军技民用，横向拓宽民品雷达和通信市场。为实现手机通信速率升级，5G通信领域射频信号频率不断提升，对微波毫米波等技术提出较高要求。随5G垂直应用发展，主要应用于军用雷达领域的有源相控阵T/R组件具备小型化、轻量化和多功能等多重优势，或为未来民用有源相控阵系统标准部件，应用拓展至移动通信等领域。公司积极开拓T/R组件业务市场空间，一方面维持在军用T/R组件领域的领先优势，另一方面扩展微波毫米波等相关技术至民用有源相控阵雷达、民用通信等民品市场。年公司实现民品业务7.17亿元，同比增长55.43%，占比提升至28.58%，为公司营收重要驱动点。
借力自主可控，军民双轮驱动公司持续增长。公司前五大客户B公司为国内基站行业龙头企业，向公司购入射频芯片、模块产品且年收入和占比大幅提升，主要系：①5G商业化发展加快，5G基站建设量提升拉动需求攀升；②中美经贸摩擦影响下，进口替代需求增强。目前公司凭借技术储备、供应链管理、规模效应等多重优势，已成为国内5G基站射频芯片的主要供应商，未来还将持续开拓移动智能终端射频前端应用领域。在国产化替代逻辑下，5G通信领域有望持续贡献可观增量，军民领域双轮有望驱动公司营收提升。
重视自研技术储备雄厚，合作研发拓展新品类
研发团队规模大学历高，跨学科复合型强。公司已形成稳定的研发队伍，团队规模较大且跨学科复合型强，研发人员涉及电子、通信、计算机、化学、材料等多个细分领域。截止年底，公司研发人员总计名，占员工总数比例为19.51%，其中博士、硕士分别为11/人，占比4.64%/62.87%。横向对比，公司研发团队规模和硕士学历占比均远高于行业内可比企业（雷电微力、天箭科技），团队实力雄厚。
重视研发投入力度大，研发支出位于行业前列。公司重视原有产品升级革新和新产品研发，持续加大研发投入，保持较高比例的研发投入，以保证核心技术优势领先地位。至年公司研发费用保持连续大幅增长，研发费用率连年提升，年公司研发费用和研发费用率分别约2.44亿元/9.73%。与行业内可比企业（雷电微力、天箭科技）相比，公司研发支出规模和比例位于行业前列，为公司发展提供强力技术支撑。
技术雄厚实现产业化发展，多项在研支撑产品升级拓展。公司自主创新能力较强，多项集成电路等领域的核心技术自主可控，并产业化形成T/R组件和射频模块、芯片两大平台。截止年5月末，公司共有60项专利，自主设计开发取得65项集成电路布图设计和9项软件著作权。公司有源相控阵T/R组件产品性能位于国内领先水平，部分典型产品可对标国际主流企业技术水平，曾多次获得国家科技进步奖、国防科技进步奖、中国电科科技进步奖等奖项。目前公司仍持续积极开展自研项目，保持原有产品领先优势，并战略布局通信、智能制造等新兴方向，丰富和优化产品结构，拓宽应用领域。
合作研发布局新品类芯片，ADC批产后竞争力或进一步增强。在持续加大自主研发力度之余，公司积极与东南大学、深圳国一微等院校企业广泛开展合作研发，形成“自主研发+合作研发”双驱并行的研发模式。公司外部研发可助力解决部分新项目技术开发难点，降低研发风险，有效支撑技术创新可持续性发展。目前公司与深圳国一微电子有限公司展开合作，共同着手研发高速ADC芯片相关技术，有望拓展公司芯片产品体系，进一步完善芯片布局。
借力资本市场实现产能扩张，支撑军民业务长期可持续发展
战略布局扩充产能项目，助力T/R组件和射频两大主业扩容。公司积极开展产能扩充项目，年末重组合并T/R组件业务后，公司陆续新增相关生产设备构建T/R组件生产专线，支撑T/R组件业务规模增长。同年公司着手建设射频集成电路产业园项目，计划投资共16.62亿元自建生产、办公场所，着重提升现有产品范围的设计、封装测试能力。截止年末该项目已累计投入8.55亿元，公司预计于年下半年陆续建设完成并投入使用。随T/R组件生产线和射频集成电路产业园逐步进入预定使用状态，公司产能有望得到较大提升，将为主营业务规模扩大提供有力支撑。
IPO募资进一步革新技术提升产能，聚焦军民两大市场。通过本次IPO募集资金，公司拟投入约15亿元建设射频芯片和组件产业化项目，一方面提升毫米波T/R组件和射频模块研发平台水平，重点研发毫米波和太赫兹T/R组件产品，满足军民领域日益增加的市场需求；另一方面，着重加强移动通信基站和终端用射频芯片，以及微波毫米波芯片的设计研发，形成批产测试和批量交付能力，借力国产化替代抢占高端市场份额。通过在现有产品基础上进一步升级相关技术，该项目或提高公司研发及生产能力，有望增厚公司业绩。
盈利预测
1.T/R组件和射频模块业务：国博电子是参与国防重点工程的重要单位，长期为陆、海、空、天等各型装备配套大量关键产品，确保了以有源相控阵T/R组件为代表的关键军用元器件的国产化自主保障。国博电子通过整合中国电科五十五所微系统事业部有源相控阵T/R组件业务，构建了覆盖X波段、Ku波段、Ka波段的设计平台、微波高密度互连工艺平台以及全自动通用测试平台，在高频低损耗传输互连设计、三维立体叠层组件设计、多温度梯度钎焊工艺、可靠性试验分析测试等技术领域积累了关键核心技术，研制了数百款有源相控阵T/R组件，其中定型或技术水平达到固定状态产品数十项，产品广泛应用于弹载、机载等领域。除整机用户内部配套外，国博电子产品市场占有率国内领先，是国内面向各军工集团销量最大的有源相控阵T/R组件研发生产平台。在射频模块领域，国博电子根据客户需求，开发出大功率控制模块、大功率放大模块等高集成度的产品，产品关键技术指标处于国内领先、国际先进水平。年9月公司与A01客户签订T/R组件业务合同，约定执行数量但未约定价格，按照最新已执行订单价格作为执行价格，公司预计该订单金额约为40.9亿元，此外公司和A02客户正在执行合同6亿元，和E01客户正在执行合同2.8亿元，均为T/R组件产品，有望支撑公司T/R组件和射频模块业务保持高速增长。综合对公司上述订单交付时间和数量的假设，我们预测T/R组件和射频模块业务/23/24年收入增速分别为67.86%/37.88%/32.85%，随着型号放量价格下降，以及低毛利弹载产品占比提升，T/R组件和射频模块业务毛利率料将有所下降，预计/23/24年毛利率分别29.66%/28.11%/29.17%；
2.射频芯片业务：国博电子在射频芯片领域掌握具有自主知识产权的核心技术。基于自主核心技术，国博电子形成了系列化的砷化镓化合物半导体产品。国博电子射频芯片主要应用于移动通信基站等领域，产品技术水平属于国内领先、国际先进。在低噪声放大器方面，针对5G基站应用，国博电子设计了大动态、高线性的低噪声产品，其噪声系数、增益、OIP3、功耗等主要性能指标均已处于国际先进水平。在功率放大器方面，针对移动通信基站应用，国博电子设计了一系列不同输出功率量级、频段及带宽的高线性HBT放大器，其增益、饱和功率、线性功率等主要性能指标也已处于国际先进水平。目前，这两类产品广泛应用于4G、5G移动通信基站中。本次IPO募资公司拟投向射频芯片和组件产业化项目，用于加强移动通信基站和终端用射频芯片，以及微波毫米波芯片的设计研发，提升设计平台和技术开发能力；开展芯片微波、毫米波在片测试平台建设工作，形成批产测试平台和批量交付能力，我们预测/23/24年射频芯片业务收入增速分别为18.89%/24.96%/24.98%；产品结构变化导致毛利率有所波动，预测/23/24年毛利率分别为38.34%/34.53%/36.27%。
3.其他芯片业务：基数较小，假设未来收入增速保持约5%，毛利率维持60%，保持平稳。
4.费用方面，随着公司业务快速上量规模效应显现，以及公司经营管理的加强，预计公司销售费用率和管理费用率或将出现下滑，同时随着公司加大后续主力型号配套产品研制，研发费用率料将略有上升，预计/23/24年销售费用率0.31%/0.31%/0.29%；管理费用率2.30%/2.26%/2.09%；研发费用率8.43%/8.90%/9.32%。
5.所得税方面，考虑到研发费用加计扣除等因素，预计公司实际所得税维持5.7%水平保持稳定。
（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）
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